所字结构_所字结构

所谓的第二沟槽隔离结构和第三沟槽隔离结构形成两个间隔的栅极沟槽，其底面与衬底的上表面接触，且目标半导体层位于栅极沟槽内的部分暴露并悬空。在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例至少可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下增加字线结构占用的空间，这将在后面描述。

文中描述的结构说明了去除存储区中的部分牺牲层，在相邻的层间绝缘层之间形成第一沟槽；在第一沟槽中形成晶体管结构，晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅极层以及位于栅极层中的有源结构。形成沿第二方向延伸的字线，且字线沿第一沟槽覆盖内壁。关于两个方向的间隔排列已经足够了。

结构中的词性是什么？长鑫存储技术有限公司申请了公开号为CN117769243A的《半导体结构及其制备方法》，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，一种半导体结构的制备方法，包括：形成第一衬底其中，第一基板包括第一基板以及沿第一方向和第二方向排列在第一基板中的阵列。有源区的区域，其中设置字线。

本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。该方法包括：提供基板，以及在基板上形成初始堆叠结构。初始堆叠结构包括沿着第一方向依序穿过基板。本发明至少可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下，增加单个存储单元结构中的栅极结构和字线结构以及相邻字线结构的厚度和宽度。

这个词的部首是什么？本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底；多个有源柱，位于基板内，多个有源柱沿第一方向和第二方向排列成阵列，第一方向和第二方向均为平行于基板的顶面的方向，以及第一方向与第二方向相交；沿着该顺序形成多个字线。

ゃōゃ

本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：衬底。基板具有隔离层以及阵列分布的多个有源区。多个有源区是沿第一方向成列分布并且沿第二方向间隔开的有源区。隔离层位于有源区表面与有源区之间；多个字线沟槽，字线沟槽位于衬底上。

长鑫存储技术有限公司已申请公开号CN117651410A，名称为“阵列结构、半导体结构及制造方法”，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明实施例公开了一种阵列结构，一种半导体结构及其制造方法，其中该阵列结构包括：多个存储单元、多条字线以及多条位线。其中上面的每一个存储呢？

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本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、以及三维存储器。半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底上设置有位线金属层。形成第一支撑层，且第三A字线金属层形成于支撑层的表面上；第一支撑层支撑字线金属层。形成有源层，有源层的上表面与存储单元连接，有源层的下表面与存储单元连接。小毛猫。

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该三维半导体存储器件包括：包括绝缘层的栅堆叠结构、下选择线和字线，字线包括与下选择线相邻的第一字线以及位于第一字线上的第一字线。字线为第二字线；贯穿栅堆叠结构的存储沟道结构；多个第一接触插塞电连接至第一字线；多个第二接触插塞电连接至第二字线；导线连接至多个帽。

所谓草书长鑫存储技术有限公司申请了公开号为CN117219655A、名称为“一种半导体结构及其制造方法”，申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：衬底；多个凹槽位于基板内并沿第一方向延伸。多字线结构，已描述。

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